LPCVD相关论文
本文主要对低压化学气相沉积（LPCVD）法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多......
二维材料的异军突起使其在电子及光电子等领域表现出巨大的应用潜力,其中具有超宽带隙的六方氮化硼的研究更加成为焦点。本论文从......
低压化学气相沉积（Low Pressure Chernica.l Vapor Deposition.简称LPCVD）是半导体制造工业中常用的薄膜沉积手段而晶圆（waf er ）表面......
TOPCon太阳能电池使用LPCVD在585℃-625℃热氧制备隧穿氧化层和在610℃左右热分解SiH4制备本征多晶硅层,主要工艺气体为O2、SiH4和......
有机无机杂化钙钛矿太阳能电池由于其高效,成本低廉等优势受到广泛的关注.我们使用了一种低压化学气相沉积制备钙钛矿太阳能电池,......
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺......
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2......
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多......
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺......
石墨烯材料的发现使二维材料研究成为材料研究领域的前沿课题。目前发现的二维材料种类已达上百种之多正如石墨烯一样,大尺寸高质......
本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温......
多晶Si薄膜太阳电池研究引起了人们的广泛关注,而采用大晶粒多晶Si薄膜是提高其能量转换效率的一条可行途径。本工作采用低压化学......
通过LPCVD的方法,在Si基体表面制备了掺氧半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS),分析了钝化机理,讨论了不同流量比与沉积速率、含氧量的关系以......
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
Growth of SiCGe ternary alloy on 6H-SiC in a conventional hot-wall CVD system was initially studied. SiH4, GeH4 and C3H8......
用低压化学气相沉积法制备TiO2薄膜.研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响.在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火......
报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几......
采用低压化学汽相沉积 (LPCVD)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ......
颗粒污染在集成电路制造工艺中会引起严重的缺陷,会对后续光刻对位造成影响,甚至会导致电路性能下降、使用寿命缩短。尤其是在深亚......
采用LPCVD和PECVD技术制作了不同厚度的SiNx和SiC材料样品，使用傅立叶变换红外光谱仪对其进行了红外吸收特性测试，并通过离子注入的......
多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶......
采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,通过纯SiH4气体的表面热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了半球状Si纳米量子点,在室温条件下实......
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 1......
利用低压化学气相淀积工艺在6H-SiC衬底成功制备了SiCGe薄膜。通过光致发光（PL）谱研究了生长温度对SiCGe薄膜发光特性的影响。结果表......
利用Arrhenius公式对化学气相沉积的反应进行研究,设计了一种低压热化学气相沉积(LPCVD)高效沉积反应室.在料管的下方与衬底的上方......
半导体制造业是全球发展最快最先进的行业之一，其产品种类繁多、工序繁琐、物料清单复杂，对设备的利用率有较高要求。这本文根据半导......
讨论了一个二驱动模型，分析气体在淀积过程中的反应机理，将气体的淀积过程分为各向同性和各向异性的结合,在此基础上提出一个LPCVD二......
研究了用减压法制备TiO2薄膜，并对其光催化活性进行了分析，通过实验证明锐钛矿结构的TiO2薄膜光催化活性明显要高于金红石型和无定形......
在普通玻璃钝化管芯工艺基础上研制出了快速恢复玻璃钝化管芯.重点分析快速恢复玻璃钝化(FRGPP)二极管管芯制造过程中扩散工艺的调......
本文报道了低压化学气相溶积制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件，退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果，用ＸＲＤ、ＲＥＤ等技术温分析了多......
为提高C/C复合材料的抗氧化性能,采用包埋法和低压化学气相法制备了SiC/SiO2涂层。借助XRD、SEM和EDS等测试手段分析了复合涂层的......
用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性......
在3.75eV的激光激发下，利用LPCVD在800-950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中，在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射．通过TEM，IR，XPS......
以SiCl4和H2为原料,采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi2涂层,研究了沉积温度对MoSi2涂层微观形貌、......
用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10^11cm^-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一......
应用人工神经网络建立了激光-等离子体辅助化学气相沉积(LPCVD)工艺参数与Si3N4薄膜显微硬度的关系.并运用遗传算法优化出了最佳工......
研究了低压化学气相淀积方法制备的n—3C—SiC／p—Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度—电压(J—V)特性．室温下HJD......
Si衬底上SiC的异质外延生长深受关注,为了了解Si衬底上SiC的成核及长大过程,采用LPCVD方法在Si(001)衬底上生长出了方形3C-SiC岛,......
本文阐述了MCP连续打拿极传统的制备方法，并提出采用半导体技术制备Si—MCP连续打拿极的新途径，通过对比进一步总结出采用新方法制备......
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备......
针对LPCVD法制备TiO2纳米薄膜过程中物效和能效低的特点,主要考虑沉积压力、沉积温度和物料的流量3个因素。研究了不同的工艺参数......
采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试。通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应......
本文提出了高阻半导体薄层电阻的一种测量方法。将待测样品用平面技术制备成矩形,薄层电阻由所加直流电压和电流指示算出。测量精......
石墨烯是一种新型二维材料,由于其具有超高的载流子迁移率和优异的电导率等出众的物理性质,使得石墨烯在电子方面的应用具有其他材......
能源短缺和环境污染已成为工业和经济快速发展面临的严重问题和挑战,寻求和利用低成本的可再生能源(绿色能源)变得越来越重要。太......
在大部分半导体工艺中,温度都是最重要的工艺参数之一,炉温的均匀性和稳定度对工艺都有着至关重要的影响。主要介绍了LPCVD设备中......
